半導体メーカーのキオクシアは23日、フラッシュメモリを製造する北上工場（岩手県北上市）の新棟の建設を4月から開始すると発表した。投資総額は1兆円規模で、米国ウエスタンデジタル社と分担する。

新棟は「第2製造棟（K2）」と呼ばれ、既存の第1製造棟（K1）の東側の土地に建設する。地震の揺れを吸収する免震構造を採用し、省エネ製造設備を導入する。人工知能（AI）を活用した生産システムを導入し、工場全体の生産性とフラッシュメモリの品質向上を図る。

クラウドサービスや5G通信、AIなどの普及に伴い、フラッシュメモリの市場は中長期的に拡大すると見込まれている。同社はK2棟の建設により、生産拡大を通じて需要拡大の好機を活かすとしている。

K2棟の竣工は2023年の予定。建設投資は営業キャッシュフローの範囲内で行うという。

キオクシアはプレスリリースのなかで「35年にわたり積み重ねてきたメモリ・SSD事業の競争力を強化する取り組みを積極的に展開して」いく方針を示した。