スウェーデン出身の半導体研究者、ヘンリー・ホマユン・ラダムソン氏が中国で急病のため死去した。63歳だった。訃報が公表されたのは、死去から20日後だった。

広東省大湾区集積回路・システム応用研究院が9月1日に発表した訃報によると、同研究院の首席科学者で光電集積回路研究開発センター主任を務めていたラダムソン氏は、8月12日午前2時43分、上海で死去した。

訃報では、急病を発症し、救命措置が行われたが亡くなったとしている。

告別式は9月6日午前9時、上海市の竜華葬儀場・銀河ホールで行われる予定だ。

ラダムソン氏は2023年、中国共産党（中共）政府友誼賞を受賞した。同賞は、中国で活動する外国人専門家に贈られる賞だ。

ラダムソン氏はスウェーデン国籍で、ナノエレクトロニクス、ナノフォトニクス、熱電材料、赤外線センサーなどの分野を専門としていた。1996年、スウェーデンのリンショーピング大学で半導体材料の博士号を取得。その後、ストックホルムのスウェーデン王立工科大学で約20年間、上級研究員を務めた。2012年には中国科学院の客員教授に就任した。

2016年、中共の海外人材招致政策「千人計画」に参加し、スウェーデンから中国に移った。その後、中国科学院微電子研究所の研究員となり、主にゲルマニウムおよび関連化合物を用いた半導体材料の研究に取り組んだ。

西側諸国は千人計画について、技術や研究成果の流出・窃取につながるとの懸念を指摘してきた。

千人計画は、中共が海外の高度人材を招致するために進めてきた制度で、アメリカをはじめとする西側諸国では近年、国家安全保障や知的財産の保護、研究倫理の観点から厳しい審査や調査の対象となっている。

2019年8月、広東省大湾区集積回路・システム応用研究院が広州市に設立された。ラダムソン氏は同研究院の首席科学者に就任した。

2023年には、中共官営メディア「科技日報」の取材に対し、研究の重点は電子技術と光技術の融合にあると語っていた。