サムスン電子の技術漏洩　元幹部が中国でDRAMチップ技術を不正使用か

9月10日、韓国ソウル – 韓国警察は、サムスン電子の元幹部2人を逮捕した。これらの元幹部は、約32億ドル（約4.3兆韓国ウォン）に相当する商業秘密と技術を盗み出し、中国におけるサムスン電子チップの模倣品製造工場の設立に利用した疑いが持たれている。

逮捕されたのは、66歳の崔容疑者と60歳の呉容疑者で、二人はそれぞれ中国の成都高真科技有限公司（Chengdu Gaozhen Technology Co., Ltd.）の責任者と首席設計師を務めている。崔容疑者は以前、サムスン電子およびSKハイニックス（SK Hynix Inc.）の高級幹部であり、呉容疑者はサムスン電子で上級研究員として勤務していた。

警察によれば、崔容疑者は2020年9月に、中国共産党（中共）の地方政府と協力して、半導体会社を設立し、そのプロジェクトには、呉容疑者を含む複数の韓国の半導体専門家が参加した。この合弁企業を通じて、サムスン電子のコアメモリ技術を漏洩したとしている。特に呉容疑者は、成都高真科技有限公司に転職後、技術盗用事件で中心的な役割を果たしていた。