サムスン元幹部ら10人を起訴 中国への半導体技術流出に関与
韓国検察はこのほど、国の中核となる半導体技術を中国に不正に移転した疑いで、サムスン電子の元幹部およびエンジニアを含む10人を正式に起訴した。事件の焦点は中国のメモリーチップメーカー「長鑫存儲科技（CXMT）」に当てており、世界的にメモリーチップ競争が激化する中で、技術機密の流出を国家安全保障上の重大事件として扱っていることを浮き彫りにしている。
検察の調べによると、被告らは2016～23年にかけて、サムスンが世界に先駆けて開発した10ナノメートル級DRAMの製造工程技術を、長期かつ組織的に中国へ不正に漏えいし、韓国の半導体産業および国の技術安全に重大な損害を与えたとしている。
韓国の半導体専門メディア「The Elec」によると、ソウル中央地検の情報技術犯罪捜査部は12月23日、事件の中心人物は、かつてサムスン電子で研究開発の要職を務め、その後、CXMTの開発責任者に就任したA（実名非公表）であると明らかにした。AはCXMTにおいて10ナノ級DRAMの技術開発を全面的に主導し、「産業技術保護法」に違反して国の中核となる技術を海外に流出させた疑いで、勾留されたまま起訴された。
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